Einbringen eines Rohstoffs wie Polysilicium in den Ofen. Schmelzen des Siliciums in einem Quartziegel, der in Drehung versetzt wird; Eintauchen eines in die entgegengesetzte Richtung rotierenden Impfkristalls in das geschmolzene Silicium. Langsames Herausziehen des Impfkristalls, sobald das geschmolzene Polysilicium beginnt, sich abzukühlen. Das Ergebnis ist ein einzelner Halbleiterkristall mit einem Durchmesser von etwa 200 mm.