profondeur d'arrêt

CONT: Implantation des ions dans le semiconducteur [...] La profondeur d'arrêt (ou d'implantation), pour une impureté et un semiconducteur donnés, dépend de l'énergie du faisceau [d'ions]. En règle générale, elle est inférieure au micron.

CONT: The method of claim ... wherein the material of the covering layer is chosen to minimize differences between a coefficient of implantation depth of semiconductor material of the uneven surface layer and a coefficient of implantation depth of the covering layer material.