ruban de silicium

CONT: Silicium sous forme de ruban. Les premières expérimentations en laboratoire datent d'une vingtaine d'années. On voulait déjà obtenir un mince ruban de silicium de 100 à 300 µm, présentant une qualité suffisante pour la réalisation des composants électroniques. Plusieurs méthodes ont été élaborées au cours des années. On a d'abord cherché à effectuer le tirage à travers un capillaire, puis le concept a évolué vers des films déposés ou croissant sans aucun support. Dans toutes ces techniques, un creuset contient le silicium fondu. [...] a) Méthode EPG (Edge-defined, Film-fed Growth) [...] b) Croissance dendritique [...]

CONT: Methods for producing self-supporting silicon ribbons and sheets: (a) Edge-defined film-fed growth (EFG) process ... (b) Stepanov ribbon process ...